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根据英特尔的描述,封装尺寸与HBM 4保持一致。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,被认为是HBM4的替代方案,成本相比HBM4会更低 。开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,采用3D堆叠芯片解决方案 。预计2030年前后实现商业化。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,容量也更大,
相较于HBM ,
虽然LPDDR更高效 、
从目标定位、再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,能够带来更高的带宽 。以及功率等方面取得平衡。XBM采用了后段晶体管设计,一个可选的基础芯片、
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,详细